在生產LED燈時，要注意一些技術手段，下面我們就來看一下具體的生產工藝流程。
 
LED照明能夠應用到高亮度領域歸功于LED芯片生產技術的不斷提高，包括單顆晶片的功率和亮度的提高。LED上游生產技術是LED行業(yè)的核心技術，目前在該技術領先的國家主要日本、美國、韓國，還有我國臺灣，而我國大陸在LED上游生產技術的發(fā)展比較靠后。
 
藍光外延片微結構圖
 
生產出高亮度LED芯片，一直是世界各國全力投入研制的目標，也是LED發(fā)的方向。目前，利用大功率芯片生產出來的白光1W LED流明值已經達能到150lm之高。LED上游技術的發(fā)展將使LED燈具的生產成本越來越低，更顯LED照明的優(yōu)勢。以下以藍光LED為例介紹其外延片生產工藝如下：首先在襯低上制作氮化鎵(GaN)基的外延片,這個過程主要是在金屬有機化學氣相沉積外延片爐(MOCVD)中完成的。準備好制作GaN基外延片所需的材料源和各種高純的氣體之后，按照工藝的要求就可以逐步把外延片做好。常用的襯底主要有藍寶石、碳化硅和硅襯底,以及GaAs、AlN、ZnO等材料。
 
MOCVD是利用氣相反應物(前驅物)及Ⅲ族的有機金屬和Ⅴ族的NH3在襯底表面進行反應,將所需的產物沉積在襯底表面。通過控制溫度、壓力、反應物濃度和種類比例，從而控制鍍膜成分、晶相等品質。MOCVD外延爐是制作LED外延片最常用的設備，然后是對LED PN結的兩個電極進行加工，電極加工也是制作LED芯片的關鍵工序，包括清洗、蒸鍍、黃光、化學蝕刻、熔合、研磨;然后對LED毛片進行劃片、測試和分選，就可以得到所需的LED芯片了。
 
LED燈的生產工藝并不復雜，在生產中，要注重相關的工序才能生產出好的LED燈。
 

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